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　　1、根据2025年5月28日公告：标的公司以“技术创新深化、双技术路线并行”为战略。在硅基功率器件上，一方面，加速新工艺的超级结 MOSFET、 SGT MOSFET 和 IGBT 产品的开发，持续进行产品迭代；另一方面，加强围绕 AI 及机器人等应用领域的功率器件和功率模块集成技术及产品的研究与开发。在化合物半导体上，一方面，加速碳化硅、氮化镓器件的技术积累和产品量产，推进 8 英寸平台的碳化硅的工程产品在2026 年第一季度实现量产， 8 英寸平台的碳化硅 Trench 产品在 2026 年第三季度实现技术突破并形成可量产的工程样品；另一方面，推进车规级 8 英寸碳化硅模块可靠性测试技术的建立。